SPB10N10 G 全國供應商、價格、PDF資料
SPB10N10 G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:10.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 7.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 21µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19.4nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:426pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:P-TO263-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN RCPT .100" 5POS GOLD T/H
- 鉭 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1411
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20TSSOP
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 30V SMPC
- 鉭 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 15UF 35V 20% 2917
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN RCPT .100" 7POS GOLD T/H
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can CAP FILM 50UF 660VAC QC TERM
- 鉭 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 10UF 20V 10% 1411
- 鉭 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 150UF 10V 10% 2917
- 二極管,整流器 - 陣列 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 40V SMPC
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN RCPT .100" 8POS GOLD T/H
- FET - 單 Fairchild Semiconductor SC-94 MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3PF
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 Texas Instruments 20-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20SSOP
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
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